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| 審判番号（事件番号） | データベース | 権利 |
|---|---|---|
| 平成24行ケ10068審決取消請求事件 | 判例 | 商標 |
| 平成24行ケ10067審決取消請求事件 | 判例 | 商標 |
| 平成24行ケ10066審決取消請求事件 | 判例 | 商標 |
| 平成24行ケ10070審決取消請求事件 | 判例 | 商標 |
| 平成24行ケ10065審決取消請求事件 | 判例 | 商標 |
| 元本PDF |
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|---|
| 事件 |
平成
24年
(行ケ)
10073号
審決取消請求事件
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|---|---|
| 裁判所のデータが存在しません。 | |
| 裁判所 | 知的財産高等裁判所 |
| 判決言渡日 | 2012/11/14 |
| 権利種別 | 商標権 |
| 訴訟類型 | 行政訴訟 |
| 判例全文 | |
|---|---|
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判例全文
平 成２４年１１月１４日判決言渡 同日原本領収 裁判所書記官 平 成２４年（行ケ）１００７３号 審決取消請求事件 口 頭弁論終結日 平成２４年１０月１０日 判 決 原 告 シャープ株式会社 同訴訟代理人弁護士 永 島 孝 明 安 國 忠 彦 明 石 幸 二 郎 朝 吹 英 太 安 友 雄 一 郎 同 弁理士 磯 田 志 郎 上 田 忠 被 告 三洋電機株式会社 同訴訟代理人弁護士 尾 崎 英 男 日 野 英 一 郎 同 弁理士 石 田 純 主 文 １ 特許庁が無効２０１１−８００１０６号事件について 平成２４年２月８日にした審決を取り消す。 ２ 訴訟費用は被告の負担とする。 事実及び理由 第１ 請求 主 文１項と同旨 第２ 事案の概要 本件は，原告が，後記１のとおりの手続において，被告の後記２の本件発明に係 る特許に対する原告の特許無効審判の請求について，特許庁が同請求は成り立たな 1 いとした別紙審決書（写し）の本件審決（その理由の要旨は後記３のとおり）には， 後記４の取消事由があると主張して，その取消しを求める事案である。 １ 特許庁における手続の経緯 (1) 被告は，平成９年１１月１８日，発明の名称を「液晶表示装置」とする特 許出願（特願平９−３１７１６９号）をし，平成１７年９月２２日，設定の登録 （特許第３７２３３３６号。請求項の数６）を受けた。以下，この特許を「本件特 許」という。 (2) 原告は，平成２３年６月２４日，本件特許の請求項１ないし６に係る発明 について，特許無効審判を請求し，無効２０１１−８００１０６号事件として係属 した。被告は，同年９月２７日付けで訂正請求（以下「本件訂正」という。請求項 の数５）をしたところ（甲２６），特許庁は，平成２４年２月８日，本件訂正を認 めた上，「本件審判の請求は，成り立たない。」との審決をし，同月１６日，その 謄本が原告に送達された。 ２ 特許請求の範囲の記載 本件訂正後の特許請求の範囲請求項１ないし５の記載は，次のとおりである。以 下，順に「本件発明１」ないし「本件発明５」といい，これらを併せて「本件発 明」という。また，本件発明に係る明細書（甲２６）を「本件明細書」という。な お，文中の「／」は，原文の改行部分を指す。 【請求項１】対向配置された第１の基板と第２の基板の間に負の誘電率異方性を有 する液晶が封入され，／前記第１の基板となる一方の支持基板の対向面側に行列状 に配列された複数の薄膜トランジスタと，／これら薄膜トランジスタに接続され互 いに交差するゲートラインおよびドレインラインと，／前記複数の薄膜トランジス タ，ゲートラインおよびドレインラインを覆う絶縁膜と，／該絶縁膜上に形成され 前記絶縁膜に開けられた開口部を介して前記薄膜トランジスタの個々に対応して接 続された液晶駆動用の複数の画素電極と，／これら画素電極上に形成されたラビン グ処理が施されていない垂直配向膜と，／前記第２の基板となる他方の支持基板の 2 対向面上に形成されたカラーフィルター層と，該カラーフィルター層上に形成され た液晶駆動用の共通電極と，該共通電極上に形成されたラビング処理が施されてい ない垂直配向膜と，を有し，／前記第１の基板および前記第２の基板の外側面には 偏光板が設けられてなり，該偏光板を抜けた偏光を前記液晶にて変調することによ り表示を行う液晶表示装置において，／前記絶縁膜は，前記薄膜トランジスタの半 導体層を覆って形成される層間絶縁膜上に形成され，前記薄膜トランジスタに起因 する凹凸を緩和するように，その表面が平坦化される平坦化絶縁膜であり，／前記 薄膜トランジスタのソース電極は前記層間絶縁膜上に形成されるとともに，前記層 間絶縁膜に開けられた開口部を介して前記薄膜トランジスタの半導体層に接続され， 前記画素電極は該平坦化絶縁膜上に形成されるとともに，前記平坦化絶縁膜の開口 部を介して前記ソース電極に接続され，／前記画素電極の不存在部分に対応する前 記ゲートラインまたはドレインラインの部分は当該不存在部分と少なくとも前記平 坦化絶縁膜を介して分離されており，／前記液晶の初期配向方向を前記基板の概ね 法線方向として黒表示を行い，／前記画素電極と前記共通電極との間に電圧を印加 することによって前記画素電極周辺と共通電極間に斜め方向電界を発生させ，また， 画素電極側から見て前記第２の基板側に電極不在部を形成して画素電極内と共通電 極間にも斜め方向電界を発生させ，前記液晶を概ね法線方向より電界作用に従って 傾斜させて前記液晶の配向方向を分割することを特徴とする液晶表示装置 【請求項２】前記薄膜トランジスタは，前記半導体層として多結晶半導体層を用い ていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置 【請求項３】前記カラーフィルター層上には保護膜が形成され，前記共通電極は前 記保護膜上に形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２記載の液晶 表示装置 【請求項４】前記第２の基板は，前記画素電極および前記画素電極間に対応する領 域が透光性であり，前記画素電極間に対応する領域の少なくとも一部は，前記液晶 と前記偏光板とにより遮光されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれ 3 かに記載の液晶表示装置 【請求項５】前記層間絶縁膜は，前記ゲートラインを覆って形成され，かつ，前記 ドレインラインは，前記層間絶縁膜上に形成され，／前記平坦化絶縁膜は，前記ド レインラインを覆って，厚みが１μｍ以上であることを特徴とする請求項１から請 求項４のいずれかに記載の液晶表示装置 ３ 本件審決の理由の要旨 (1) 本件審決の理由は，要するに，@本件発明１は，後記アの引用例に記載さ れた発明（以下「引用発明」という。）であるとはいえず，引用発明及び後記イな いしシの周知例１ないし１１に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をす ることができたものともいえない，A本件発明２ないし５も，引用発明であるとは いえず，引用発明及び周知例１ないし１１に記載された事項に基づいて当業者が容 易に発明をすることができたものともいえない，というものである。 ア 引用例：特開平９−２３６８２１号公報（平成９年９月９日公開。甲 ２） イ 周 知例１：特開平８−１２２８２４号公報（甲３） ウ 周 知例２：特開平３−７２３２２号公報（甲４） エ 周 知例３：特開平４−３１８２７号公報（甲５） オ 周 知例４：特開平９−２６９４８２号公報（平成９年１０月１４日公 開。甲６） カ 周 知例５：特開昭５９−５２２９号公報（甲７） キ 周 知例６：特開平７−３１１３８３号公報（甲８） ク 周 知例７：特開平５−１５０２６５号公報（甲９） ケ 周 知例８：特開平９−２６６０２号公報（平成９年１月２８日公開。甲１ ０） コ 周知例９：特開平９−２２３８０４号公報（平成９年８月２６日公開。 甲１１） 4 サ 周 知例１０：特開平９−９６８０８号公報（平成９年４月８日公開。甲１ ２） シ 周知例１１：「薄膜作製応用ハンドブック」３７６ないし４３０頁，権田俊 一監修，平成７年１１月３０日発行（甲１３） (2) なお，本件審決が認定した引用発明並びに本件発明１と引用発明との一致 点及び相違点は，次のとおりである。 ア 引用発明：基板上に，ゲート電極，ゲート絶縁膜，ａ−Ｓｉ，エッチングス トッパー，Ｎ+ａ−Ｓｉ，ソース及びドレイン電極が順次積層されてなるＴＦＴと， ゲート電極及びドレイン電極にそれぞれ一体のゲートライン及びドレインライン， 更には，ＴＦＴとその電極ラインを覆う層間絶縁膜上に形成され，コンタクトホー ルを介してソース電極に接続された表示電極が設けられてなるＴＦＴ基板と，液晶 層を挟んで，これに対向する位置に設置された基板上に，共通電極及び共通電極中 に形成された配向制御窓が設けられてなる対向基板により構成されている液晶表示 装置であって，液晶は負の誘電率異方性を有するネマチック相であり，各々の基板 の表面には，垂直配向膜が設けられ，配向制御窓は，画素の対角線に概ね沿ったＸ 字形状に形成されており，層間絶縁膜を厚く，少なくとも１μｍ以上にし，これに より表示電極が，ＴＦＴとその電極ラインから十分に離され，液晶の配向がこれら の電界の影響を受けて乱れることがなくなり，表示電極エッジ及び配向制御窓によ り，配向制御が効果的に行われ，基板の外側に偏光板をクロスニコル配置しており， 電圧印加時には一方の偏光板を透過した入射直線偏光を液晶層において，複屈折に より楕円偏光とし，液晶層の電界強度に従ってリタデーション量即ち液晶中の常光 成分と異常光成分の位相速度の差を制御することで，他方の偏光板より所望の透過 率の着色光を射出せしめる，液晶表示装置 イ 一致点：対向配置された第１の基板と第２の基板の間に負の誘電率異方性を 有する液晶が封入され，前記第１の基板となる一方の支持基板の対向面側に行列状 に配列された複数の薄膜トランジスタと，これら薄膜トランジスタに接続され互い 5 に交差するゲートライン及びドレインラインと，前記複数の薄膜トランジスタ，ゲ ートライン及びドレインラインを覆う絶縁性の膜と，該絶縁性の膜上に形成され前 記絶縁性の膜に開けられた開口部を介して前記薄膜トランジスタの個々に対応して 接続された液晶駆動用の複数の画素電極と，これら画素電極上に形成されたラビン グ処理が施されていない垂直配向膜と，前記第２の基板となる他方の支持基板の対 向面上に形成された液晶駆動用の共通電極と，該共通電極上に形成されたラビング 処理が施されていない垂直配向膜と，を有し，前記第１の基板および前記第２の基 板の外側面には偏光板が設けられてなり，該偏光板を抜けた偏光を前記液晶にて変 調することにより表示を行う液晶表示装置において，前記画素電極は該絶縁性の膜 上に形成されるとともに，前記絶縁性の膜の開口部を介して前記ソース電極に接続 され，前記画素電極の不存在部分に対応する前記ゲートライン又はドレインライン の部分は当該不存在部分と少なくとも前記絶縁性の膜を介して分離されており，前 記液晶の初期配向方向を前記基板の概ね法線方向として黒表示を行い，前記画素電 極と前記共通電極との間に電圧を印加することによって前記画素電極周辺と共通電 極間に斜め方向電界を発生させ，また，画素電極側から見て前記第２の基板側に電 極不在部を形成して画素電極内と共通電極間にも斜め方向電界を発生させ，前記液 晶を概ね法線方向より電界作用に従って傾斜させて前記液晶の配向方向を分割する 液晶表示装置 ウ 相違点１：本件発明１は，第２の基板となる他方の支持基板の対向面上にカ ラーフィルター層が形成され，該カラーフィルター層上に液晶駆動用の共通電極が 形成されるのに対し，引用発明は，第２の基板となる他方の支持基板の対向面上に カラーフィルター層が形成され，また，該カラーフィルター層上に液晶駆動用の共 通電極が形成されるか否かが明らかではない点 エ 相違点２：本件発明１は，絶縁性の膜が，絶縁膜と層間絶縁膜とからなり， 前記絶縁膜が，薄膜トランジスタの半導体層を覆って形成される層間絶縁膜上に形 成され，前記薄膜トランジスタに起因する凹凸を緩和するように，その表面が平坦 6 化される平坦化絶縁膜であって，前記薄膜トランジスタのソース電極が前記層間絶 縁膜上に形成されるとともに，前記層間絶縁膜に開けられた開口部を介して前記薄 膜トランジスタの半導体層に接続されているのに対し，引用発明は，絶縁性の膜が， １層構造の絶縁膜（層間絶縁膜）であって，表示電極をＴＦＴとその電極ラインか ら十分に離すために，厚く，少なくとも１μｍ以上とするものであるが，薄膜トラ ンジスタに起因する凹凸を緩和するようにその表面が平坦化される平坦化絶縁膜で あるのか否か明らかではなく，また，薄膜トランジスタのソース電極が，層間絶縁 膜上に形成されているものではない点 ４ 取消事由 本 件発明１の容易想到性に係る判断の誤り（取消事由１） ア 相 違点２の認定の誤り イ 相 違点２の判断の誤り 本 件発明２ないし５の容易想到性に係る判断の誤り（取消事由２） 第３ 当事者の主張 １ 取消事由１（本件発明１の容易想到性に係る判断の誤り）について 〔原告の主張〕 (1) 相違点２の認定の誤り ア 本件審決の認定について 本件審決は，相違点２を認定する前提として，引用発明の層間絶縁膜と，本件発 明１の絶縁膜及び層間絶縁膜とは，複数の薄膜トランジスタ，ゲートライン及びド レインラインを覆う絶縁性の膜である点で一致すると認定した。 確かに，引用発明の層間絶縁膜は，薄膜トランジスタとその電極ライン（ドレイ ン電極及びソース電極）を覆い，その上にコンタクトホールを介してソース電極に 接続された表示電極が設けられているものであり，薄膜トランジスタとその電極ラ インの上に形成されるものである。 しかし，本件発明１の層間絶縁膜は，請求項１の「薄膜トランジスタの半導体層 7 を覆って形成される層間絶縁膜」との記載や「薄膜トランジスタのソース電極は前 記層間絶縁膜上に形成されるとともに，前記層間絶縁膜に開けられた開口部を介し て前記薄膜トランジスタの半導体層に接続され」との記載からすると，薄膜トラン ジスタの半導体層を覆い，その上に薄膜トランジスタのソース電極が形成されてい るものである。一方，本件発明１の絶縁膜は，請求項１の「複数の薄膜トランジス タ，ゲートラインおよびドレインラインを覆う絶縁膜」との記載や，「該絶縁膜上 に形成され前記絶縁膜に開けられた開口部を介して前記薄膜トランジスタの個々に 対応して接続された液晶駆動用の複数の画素電極」との記載からすると，薄膜トラ ンジスタのドレインラインの上に形成されるものである。 以上のとおり，引用発明の層間絶縁膜は，薄膜トランジスタとその電極ラインの 上に形成されるのに対し，本件発明１の層間絶縁膜は，ソース電極の下に形成され るものであるから，本件発明１の層間絶縁膜は，引用発明の層間絶縁膜に対応する ものではないことは明らかであり，本件発明１の絶縁膜がこれに対応するものであ る。 したがって，本件審決の上記認定は誤りであり，正しくは，引用発明の層間絶縁 膜と，本件発明１の絶縁膜とは，複数の薄膜トランジスタ，ゲートライン及びドレ インラインを覆う絶縁性の膜である点で一致すると認定されるべきである。 イ 認定されるべき相違点について 以上のとおり，引用発明の層間絶縁膜は，本件発明１の絶縁膜に相当する。 また，本件発明１の絶縁膜も，引用発明の層間絶縁膜と同様に，ドレインラインの 上に形成される１層構造であるから，引用発明の層間絶縁膜と本件発明１の絶縁膜 との間に層構造の相違点は存在しない。 したがって，相違点２については，正しくは，次のとおり認定されるべきである （以下「相違点２’という」）。 本件発明１は，薄膜トランジスタの半導体層を覆って形成される層間絶縁膜を有 し，絶縁膜が層間絶縁膜上に形成され，薄膜トランジスタのソース電極は層間絶縁 8 膜上に形成されるとともに，層間絶縁膜に開けられた開口部を介して薄膜トランジ スタの半導体層に接続されるのに対し，引用発明は，このような層間絶縁膜を設け る構成を記載していない点 なお，本件審決が相違点２で認定した，「本件発明１は，絶縁膜が，前記薄膜ト ランジスタに起因する凹凸を緩和するように，その表面が平坦化される平坦化絶縁 膜であるのに対し，引用発明は，層間絶縁膜が，薄膜トランジスタに起因する凹凸 を緩和するようにその表面が平坦化される平坦化絶縁膜であるのか否か明らかでは ない」との点については，後記エのとおり，引用発明の層間絶縁膜が同様の機能を 有する絶縁膜であるので，相違点としては認定しない。 ウ 相違点２’の容易想到性について 薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極が，層間絶縁膜上に形成される とともに，層間絶縁膜に開けられた開口を介して薄膜トランジスタの半導体層に接 続される構成は，本件出願時点で周知である（周知例４，７及び８，甲２３〜２ ５）。 また，引用発明は，表示電極を薄膜トランジスタとその電極ラインから十分に離 すために，薄膜トランジスタとその電極ラインの上の層間絶縁膜を，少なくとも１ μｍ以上とするものであるが，ソース電極の下に層間絶縁膜を採用することは，表 示電極と電極ラインの一つであるゲートラインとの距離を離すことになるので，表 示電極を薄膜トランジスタとその電極ラインから十分に離すという引用発明の目的 と合致するものであるし，薄膜トランジスタとその電極ラインの上の層間絶縁膜を， 少なくとも１μｍ以上とすることを阻害するものでもない。 したがって，引用発明において，上記構成を採用することについて，当業者が格 別の推考力を要しないことは明らかであり，相違点２’に係る本件発明１の構成は， 単なる設計事項である。 エ 平坦化絶縁膜について (ア) 本件審決は，相違点２に係る判断において，本件発明１にいう「平坦化」 9 とは，薄膜トランジスタの上に層間絶縁膜が全体として盛り上がっている状態を意 味するものではなく，（平坦化）絶縁膜の表面自体を平坦とすることを意味するも のであると判断した。 この点に関し，本件発明１に係る請求項には，平坦化について，「薄膜トランジ スタに起因する凹凸を緩和するように，その表面が平坦化される平坦化絶縁膜」と の記載がある。また，本件明細書（【００２２】）には，「平坦化絶縁膜が画素電 極の下地として平坦性を高める働きをしている」との記載や「ＴＦＴ（薄膜トラン ジスタ）の段差を緩和することで，液晶層との接触表面の平坦性を高める」との記 載がある。これらの記載からすれば，本件発明１の平坦化絶縁膜は，薄膜トランジ スタに起因する凹凸を緩和する役割を果たすことが読み取れるのみであり，その表 面自体を平坦とすることを意味するものであると限定的に解釈すべき理由はない。 そして，引用発明の層間絶縁膜においても，薄膜トランジスタの段差がそのまま 層間絶縁膜の表面にまで及んで段差を形成するものではなく（図１２），層間絶縁 膜により薄膜トランジスタの段差に起因した凹凸が緩和されているから，本件発明 １にいう「薄膜トランジスタに起因する凹凸を緩和するように，その表面が平坦化 される平坦化絶縁膜」に相当する。 したがって，本件発明１の絶縁膜と引用発明の層間絶縁膜との間には，「平坦 化」の点で実質的な差異はない。 (イ) 仮に，本件発明１の絶縁膜と引用発明の層間絶縁膜との間において，「平 坦化」の点で差異が存在するとすれば，本件発明１と引用発明とは，以下の点で相 違する（以下「相違点３」という。）。 本件発明１は，絶縁膜が，薄膜トランジスタに起因する凹凸を緩和するように， その表面が平坦化される平坦化絶縁膜であるのに対し，引用発明は，層間絶縁膜が， 薄膜トランジスタに起因する凹凸を緩和するようにその表面が平坦化される平坦化 絶縁膜であるのか否か明らかではない点 しかし，周知例１（【０００４】【０００７】）及び周知例６（【００１０】） 10 に記載されているとおり，下地の凹凸の影響を受けて画素電極に段差が生じ，これ が液晶の配向乱れ，ディスクリネーション，リバースチルトドメイン等を引き起す 原因となることは，本件出願当時の周知の課題であった。また，ラビング処理が施 されていない，ＶＡタイプの液晶表示装置において，薄膜トランジスタの凹凸を起 点としてディスクリネーションが発生してしまうことも既知である（甲２８【００ ０８】）。そして，かかる課題を解決する手段として，平坦化絶縁膜を設け，画素 電極を極めて平滑な表面を有する平坦化絶縁膜の上に形成することにより，液晶の 配向性を高めることも，周知の技術であった（周知例１，３，４，７〜９，甲２３ 〜２５）。 引用発明においても，表示電極が薄膜トランジスタ及び電極ライン上にまで延在 しているので，液晶の配向性を高めるため，表示電極を極めて平滑な表面を有する 平坦化絶縁膜の上に形成することは当業者にとって容易に想到できる事項であり， 相違点３に係る本件発明１の構成は，当業者が容易に想到することができたもので ある。 (2) 相違点２の判断の誤り 仮に，本件審決による相違点２の認定に誤りがないとしても，相違点２に係る本 件発明１の構成は，当業者が容易に想到し得るものでないとした本件審決の判断は 誤りである。 すなわち，本件審決は，周知例４，７及び８に照らせば，薄膜トランジスタのソ ース電極及びドレイン電極が，層間絶縁膜上に形成されるとともに，層間絶縁膜に 開けられた開口を介して薄膜トランジスタの半導体層に接続され，また，画素電極 が（層間絶縁膜上に形成された）平坦化絶縁膜上に形成されるとともに，平坦化絶 縁膜の開口部を介してソース電極又はドレイン電極に接続される構成は，本件出願 時点で周知であったと判断しているところ，引用発明の液晶表示装置において，こ れらの周知の構成を参酌すれば，薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極 の下に層間絶縁膜が形成され，ソース電極及びドレイン電極が層間絶縁膜に開けら 11 れた開口を介して薄膜トランジスタの半導体層に接続された構成となり，また，画 素電極が層間絶縁膜上に形成された平坦化絶縁膜上に形成されるとともに，平坦化 絶縁膜の開口部を介してソース電極又はドレイン電極に接続される構成となるので あるから，相違点２に係る本件発明１の構成は，引用発明及び上記周知の構成から 容易に想到することができるものである。 そして，前記(1)エ(イ)のとおり，下地の凹凸の影響を受けて画素電極に段差が 生じ，これが液晶の配向乱れ，ディスクリネーション，リバースチルトドメイン等 を引き起す原因となることは周知の課題であり，また，平坦化絶縁膜を設け，画素 電極を極めて平滑な表面を有する平坦化絶縁膜の上に形成することにより，液晶の 配向性を高める構成は周知の技術であるから，引用発明について，液晶の配向性を 高めるために，上記構成を採用することの動機付けはあるというべきである。 (3) 以上によれば，本件発明１の容易想到性に係る本件審決の判断は誤りであ る。 〔被告の主張〕 (1) 相違点２の認定の誤りについて ア 本件審決の認定について (ア) 原告は，引用発明の層間絶縁膜は，本件発明１の絶縁膜及び層間絶縁膜に 対応するものではないなどと主張する。 しかし，本件審決は，本件発明１の絶縁膜及び層間絶縁膜と引用発明の層間絶縁 膜とが，複数の薄膜トランジスタ，ゲートライン及びドレインラインを覆う絶縁性 の膜である点で一致すると判断しただけであり，本件発明１の絶縁層及び層間絶縁 膜と，引用発明の層間絶縁膜とが対応すると認定したものではない。原告は，本件 審決の認定を正しく理解しないものである。 (イ) 原告は，本件発明１の絶縁膜のみが引用発明の層間絶縁膜に対応するなど と主張する。 しかし，本件発明１は薄膜トランジスタから画素電極に至るまでに平坦化絶縁膜 12 と層間絶縁膜の２層を有しているのに対し，引用発明は層間絶縁膜の１層のみであ る。原告の主張は，本件発明１の平坦化絶縁膜のみが引用発明の層間絶縁膜と一致 するというものであるが，層構造の違いを無視した根拠のない主張である。 (ウ) したがって，本件審決の認定に誤りはない。 イ 認定されるべき相違点について 原告は，本件発明１の絶縁膜が引用発明の層間絶縁膜に対応するとした上で，相 違点２’を挙げている。 しかし，本件発明１の特定の層が引用発明の層間絶縁膜と対応するという関係に はない。原告の主張は，誤った前提に基づくもので，失当である。 ウ 相違点２’の容易想到性について 原告の主張する相違点２’の認定は，そもそも誤っているものであるから，この 誤りを前提とする原告の主張は，全く的を外したものである。 エ 平坦化絶縁膜について (ア) 原告は，本件発明１の絶縁膜と引用発明の層間絶縁膜との間には，「平坦 化」の点で実質的な差異はないと主張する。 しかし，引用発明の層間絶縁膜はＣＶＤにより成膜されているが，ＣＶＤによる 成膜では，下層に凹凸を有する構造物があれば，成膜される膜表面もその凹凸を反 映して凹凸になる。他方，一般に平坦化膜の成膜に用いられるスピンコートのよう に液状の樹脂を下地上に堆積した場合には，下地の形状に左右されることなくその 層の表面が平坦化される。以上は，当業者にとっては技術常識である。 引用発明の層間絶縁膜と本件発明１の絶縁膜は平坦化という意味で全く相違する から，原告の主張は失当である。 また，液晶分野において有機膜からなる平坦化絶縁膜を採用することには，透湿 性が高く，それが電触を招くこと（甲１６【０００９】，甲１７【０００９】）や， 着色したり，透過性が低下すること（甲１８，甲１９【０００７】）など，様々な 課題が存在し，本件発明１の明確な課題の認識，目的がなければ，そのような平坦 13 化絶縁膜を採用することは考えられない。 (イ) 原告は，仮に，本件発明１の絶縁膜と引用発明の層間絶縁膜との間におい て，平坦化の点で差異が存在するとしても，本件出願当時，下地の凹凸の影響を受 けて画素電極に段差が生じ，これが液晶の配向乱れ，ディスクリネーション，リバ ースチルドドメイン等を引き起こす原因となることは周知の課題であったとか，平 坦化絶縁膜を設け，画素電極を極めて平滑な表面を有する平坦化絶縁膜の上に形成 することにより，液晶の配向性を高めることは周知の技術であったなどとして，引 用発明について，平坦化膜絶縁膜を採用することは容易であった旨主張する。 しかし，原告が挙げた引用例や周知例には，引用発明のようなラビングレスのＶ Ａタイプで，斜め電界を利用して液晶の配向を制御する液晶表示装置においてもな お，薄膜トランジスタに起因する凹凸によってディスクリネーションが発生し得る という本件発明１の課題は示されていないし，原告もそのような課題が導かれるこ とを具体的に指摘できていない。 したがって，引用発明について，上記のような周知技術を適用する理由はないか ら，原告の主張は失当である。 (2) 相違点２の判断の誤りについて ア 薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極が，層間絶縁膜上に形成さ れるとともに，層間絶縁膜に開けられた開口を介して薄膜トランジスタの半導体層 に接続され，また，画素電極が（前記層間絶縁膜上に形成された）平坦化絶縁膜上 に形成されるとともに，平坦化絶縁膜の開口部を介してソース電極又はドレイン電 極に接続される構成自体は周知である（周知例４，７及び８参照）。 しかし，これらの周知例には，引用発明にかかる周知の構成を採用する動機付け となるような記載や示唆はない。 また，本件発明１の課題は，ラビング処理を行わず，斜め方向電界による液晶の 配向制御を行うＶＡタイプの液晶表示装置では，下層にある薄膜トランジスタに起 因するような垂直配向膜の僅かな凹凸でも，液晶の配向制御に悪影響を及ぼすこと 14 である。このような課題の認識がないにもかかわらず，関係のない別の技術に用い られている上記周知の構成を，引用発明に適用する理由は全くない。 イ 原告は，周知例 1 及び６には，下地の凹凸の影響を受けて画素電極に段差が 生じ，これが液晶の配向乱れ，ディスクリネーション，リバースチルトドメイン等 を引き起す原因となることが記載されている旨主張する。 しかし，周知例 1 及び６には，そもそも薄膜トランジスタに起因する凹凸によっ てディスクリネーションが発生することは記載されていない。本件発明１は，ラビ ングレスのＶＡタイプで，斜め方向電界を利用して液晶の配向を制御する液晶表示 装置においてもなお，薄膜トランジスタに起因する凹凸によって発生するディスク リネーションを平坦化絶縁膜で防止することが必要であることの発見，認識に基づ くものであるところ，このことは，周知例６から全く読み取れないし，他の周知例 からこれを読み取ることもできない。 ウ 原告は，甲２８（【０００８】）の記載を引用し，ラビング処理が施されて いない，ＶＡタイプの液晶表示装置において，薄膜トランジスタの凹凸を起点とし てディスクリネーションが発生することは既知であると主張する。 しかし，甲２８（【０００８】）には，ラビング処理が施されていないＶＡタイ プの液晶表示装置において，「薄膜トランジスタの凹凸を起点としてディスクリネ ーションが発生する」という特定の発生原因についての記載はない。そして，甲２ ８に記載された，従来技術にディスクリネーションが発生するという課題は，甲２ ８記載の発明によって解決されているのである。これに対し，本件発明１は，本件 発明１が採用する液晶の配向制御手段の下で，薄膜トランジスタに起因する画素電 極の凹凸が液晶の配向に対して悪影響を及ぼし，画像の質を低下させるという問題 を認識してなされたものである。そのような技術課題の認識が存在しないのに，引 用発明に周知の平坦化絶縁膜技術を取り入れるなどという発想が生まれるものでは ない。 エ したがって，引用発明の液晶表示装置について，上記周知の構成を適用する 15 ことの十分な動機付けはないから，相違点２に係る本件審決に誤りはない。 (3) 以上によれば，本件発明１の容易想到性に係る本件審決の判断に誤りはな い。 ２ 取消事由２（本件発明２ないし５の容易想到性に係る判断の誤り）について 〔原告の主張〕 本件審決は，本件発明１の進歩性に依拠して，本件発明２ないし５の進歩性を認 めているが，前記１のとおり，本件発明１は，引用発明及び周知技術に基づいて当 業者が容易に発明をすることができたものである。 したがって，本件審決の本件発明２ないし５の容易想到性に関する判断は前提を 欠き，本件審決の結論に直接影響を及ぼす重大な認定，判断の誤謬がある。 〔被告の主張〕 本件発明２ないし５は，本件発明１の特定事項をすべて含むものであるから，引 用発明及び周知例１ないし１１に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明を することができたものとはいえない。 したがって，本件発明２ないし５の容易想到性に係る本件審決の判断に誤りはな い。 第４ 当裁判所の判断 １ 本件発明について (1) 本件発明は，前記第２の２記載のとおりであるところ，本件明細書（甲２ ６）には，本件発明について，概略，次の記載がある。 ア 本件発明は，垂直配向方式の液晶表示装置に関する（【０００１】）。 イ 負の誘電率異方性を有する液晶は，電界方向に対して配向方向が電界方向と 垂直になるように配向を変化する。この時，液晶は電界に抗する作用を発生するが， このような液晶の垂直配向からの変化は，一般にＴＮ等の正の誘電率異方性を有す る液晶が平行配向から変化する場合よりも，安定性が悪く，特に，薄膜トランジス タやカラーフィルター層の段差に起因した配向膜との接触界面における凹凸は，配 16 向変化に影響を及ぼし，表示品位の悪化を招く（【００１１】）。 また，従来，垂直配向膜にラビング処理を施すことにより，図１１に示すように 液晶の初期配向にプレチルト(θ)を付与しているため，電圧印加時には，全ての液 晶分子はプレチルトの方向（図１１では右方向）に傾斜する。このため，例えば， 図１１の右上方向からの視認と，左上方向からの視認の場合とでは，光路に対する 液晶分子の傾斜角度が相対的に異なり，透過率が変化して見える。このため，輝度 あるいはコントラスト比が視る方向によって変化する，いわゆる視角依存性の問題 が生ずる（【００１２】）。 また，対向基板側に形成されたブラックマトリクスは，画素電極間の領域を漏れ なく覆わなければならないため，ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板側との貼り合わ せ時のずれを考慮して，大きめに形成されている。このため，有効表示領域が縮小 し，開口率が低下する問題もあった。さらに，ＴＦＴ基板側の垂直配向膜を形成す るためのラビング処理は，ＴＦＴの静電破壊を招き，表示不良となり，歩留まり低 下の原因となっていた（【００１３】）。 ウ 本件発明では，本件発明１の構成とすることにより，電圧印加時に負の誘電 率異方性を有する液晶が垂直配向から変化する際に，均一性良く，良好な配向変化 が行われ，また，斜め方向電界の作用により，液晶の配向の傾き方向が良好に制御 される（【００１４】【００１５】）。 エ 本件発明において，ＴＦＴ基板側の平坦化絶縁膜は，画素電極の下地として 平坦性を高める働きをしている。特に，負の誘電率異方性を有する液晶が垂直配向 から変化する際，電界との相互作用，即ち，電界に抗する作用を発生する時に，良 好な配向変化を促す。また，高精細ＬＣＤにあって，薄膜トランジスタの凹凸が相 対的に大きくなることを考慮して，これらの段差を緩和することで，液晶層との接 触界面の平坦性を高め，配向の均一性を改善して，表示品位を向上している（【０ ０２２】）。 (2) 以上の記載からすると，本件発明１は，従来，液晶の垂直配向からの変化 17 は，一般にＴＮ等の正の誘電率異方性を有する液晶が平行配向から変化する場合よ りも安定性が悪く，特に薄膜トランジスタやカラーフィルター層の段差に起因した 配向膜との接触界面における凹凸は，配向変化に影響を及ぼし，表示品位の悪化を 招くという課題や，垂直配向膜にラビング処理を施すことにより，液晶の初期配向 にプレチルト（θ）を付与しているため，電圧印加時には，全ての液晶分子はプレ チルトの方向に傾斜し，右上方向からの視認と，左上方向からの視認の場合とでは， 光路に対する液晶分子の傾斜角度が相対的に異なり，透過率が変化し，輝度あるい はコントラスト比が視る方向によって変化する視角依存性の課題があったため，こ れらの課題を解決するため，本件発明１の構成とすることにより，電圧印加時に負 の誘電率異方性を有する液晶が垂直配向から変化する際に，均一性良く，良好な配 向変化が行われ，斜め方向電界の作用により，液晶の配向の傾き方向が良好に制御 されるという効果を奏するというものである。 ２ 引用発明について (1) 引用発明は，前記第２の３(2)ア記載のとおりであるところ，引用例（甲 ２）には，引用発明について，概略，次の記載がある。 ア 引用発明は，高開口率，広視野角を達成した液晶表示装置に関する（【００ ０１】）。 イ 液晶として負の誘電率異方性を有したネマチック相を用いたタイプとして， ＤＡＰと呼ばれる配向膜に垂直配向膜を用いたタイプがある。ＤＡＰ型は，電圧制 御複屈折（ＥＣＢ）方式の一つであり，液晶分子長軸と短軸との屈折率の差，すな わち複屈折を利用して，透過率とともに表示色を制御する。ＤＡＰ型では，基板の 外側に偏光板をクロスニコル配置し，電圧印加時には一方の偏光板を透過した入射 直線偏光を液晶層において，複屈折により楕円偏光とし，液晶層の電界強度にした がってリタデーション量，すなわち，液晶中の常光成分と異常光成分の位相速度の 差を制御することで，他方の偏光板より所望の透過率の着色光を射出せしめる （【０００５】）。 18 ウ 液晶表示装置では，液晶の配向を変化してリタデーション量を制御すること で，ＴＮ方式においては透過光強度を調整できるとともに，ＥＣＢ方式においては 波長に依存した透過光強度を制御して色相の分離も可能となる。リタデーション量 は，液晶分子の長軸と電界方向とのなす角度に依存しているため，電界強度を調節 することで，電界と液晶分子長軸とのなす角度が１次的に制御されても，観察者が 視認する角度，すなわち，視角に依存して，相対的にリタデーション量が変化し， 視角が変化すると透過光強度あるいは色相も変化してしまう，いわゆる視角依存性 の問題があった（【０００６】）。 エ 引用発明は，上記課題に鑑み，第１の基板上にマトリクス状に設けられた液 晶駆動用の表示電極と，ソース電極を表示電極に接続した薄膜トランジスタと，薄 膜トランジスタのゲート電極に接続されたゲートラインと，薄膜トランジスタのド レイン電極に接続されたドレインラインと，液晶層を挟んで第１の基板に対向配置 された第２の基板上に設けられた液晶駆動用の共通電極とを有する液晶表示装置に おいて，表示電極は，薄膜トランジスタを覆って被覆された層間絶縁膜上に形成さ れ，共通電極中には表示電極に対向する領域内に所定の形状の電極不在部である配 向制御窓が設けられた構成である。この構成により，液晶層が薄膜トランジスタ及 びその電極ラインから離されたので，配向制御窓のエッジでの斜め方向電界及び表 示電極のエッジでの斜め方向電界が，薄膜トランジスタの各電極ラインからの電界 の影響を受けることが防がれ，斜め方向電界により液晶配向の２次的制御が良好に 行われる。すなわち，配向制御窓の形状によって画素内での液晶分子配向の水平方 向の方角が決定されるので，視角が変化しても，画素の各部分でリタデーションの 増減を相殺させる設計とすることで，画素全体のリタデーション量の変化を小さく 抑えることができる（【０００７】【０００８】）。 オ 図１１及び図１２に記載の実施形態は，層間絶縁膜を厚く，少なくとも１μ ｍ以上にするところに特徴がある。これにより，表示電極が，薄膜トランジスタと その電極ラインから十分に離され，液晶の配向がこれらの電界の影響を受けて乱れ 19 ることがなくなり，表示電極エッジ及び配向制御窓により，配向制御が効果的に行 われる。すなわち，表示電極のエッジにおける斜め方向電界により，画素の各辺で 配向の水平方向の方角が指定されるとともに，配向制御窓のエッジ部における同様 の指定作用に連続され，かつ，配向の方角が互いに異なる領域の境界が配向制御窓 上に固定されるので，全画素にわたって均一かつ良好な画素分割が行われ，視野角 が広がる（【００２８】【００２９】）。 (2) 以上の記載からすると，従来の液晶表示装置では，電界強度を調節するこ とで，電界と液晶分子長軸との角度が１次的に制御されても，観察者が視認する角 度に依存して，相対的にリタデーション量が変化し，視角が変化すると透過光強度 あるいは色相が変化してしまう，いわゆる視角依存性の問題が生じていたことから， 引用発明は，前記第２の３(2)ア記載の構成を有することにより，表示電極のエッ ジにおける斜め方向電界によって，画素の各辺で配向の水平方向の方角が指定され るとともに，配向制御窓のエッジ部における同様の指定作用に連続され，かつ，配 向の方角が互いに異なる領域の境界が配向制御窓上に固定されるので，全画素にわ たって均一かつ良好な画素分割が行われ，視野角が広がるという効果を奏するとい うものである。 ３ 取消事由１（本件発明１の容易想到性に係る判断の誤り）について (1) 相違点２の認定の誤りについて ア 本件審決の認定について 本件審決は，相違点２の認定の前提として，引用発明の層間絶縁膜と，本件発明 １の絶縁膜及び層間絶縁膜とは，複数の薄膜トランジスタ，ゲートライン及びドレ インラインを覆う絶縁性の膜である点で一致すると認定した。 確かに，引用発明では，薄膜トランジスタとその電極ラインを覆う層間絶縁膜上 に形成され，コンタクトホールを介してソース電極に接続された表示電極が設けら れているものであるから，引用発明の層間絶縁膜は，薄膜トランジスタとその電極 ライン及びソース電極の上であって，かつ，表示電極の下に形成されるものである。 20 しかし，本件発明１の層間絶縁膜は，「薄膜トランジスタの半導体層を覆って形 成され」，また，「薄膜トランジスタのソース電極は，前記層間絶縁膜上に形成さ れるとともに，前記層間絶縁膜に開けられた開口部を介して前記薄膜トランジスタ の半導体層に接続され」るものであるから（請求項１），本件発明１の層間絶縁膜 は，薄膜トランジスタのソース電極の下に形成されるものである。他方，本件発明 １の絶縁膜は，「前記複数の薄膜トランジスタ，ゲートラインおよびドレインライ ンを覆」い，「絶縁膜は，前記薄膜トランジスタの半導体層を覆って形成される層 間絶縁膜上に形成され，前記薄膜トランジスタに起因する凹凸を緩和するように， その表面が平坦化される平坦化絶縁膜であり」，さらに，「前記画素電極は該平坦 化絶縁膜上に形成されるとともに，前記平坦化絶縁膜の開口部を介して前記ソース 電極に接続され」るものであるから（請求項１），薄膜トランジスタ，ゲートライ ン，ドレインライン及びソース電極の上であって，かつ，画素電極の下に形成され るものである。 そうすると，引用発明の層間絶縁膜は，本件発明１の絶縁膜に相当するものであ って，本件発明１の絶縁膜及び層間絶縁膜に相当するものではない。 したがって，引用発明の層間絶縁膜と，本件発明１の絶縁膜及び層間絶縁膜とは， 複数の薄膜トランジスタ，ゲートライン及びドレインラインを覆う絶縁性の膜であ る点で一致するとした本件審決の認定は誤りであるといわなければならない。 イ 認定されるべき相違点について (ア) 前記アのとおり，引用発明の層間絶縁膜は，本件発明１の絶縁膜に相当す るところ，本件発明１と引用発明とを対比すると，本件発明１と引用発明とは，以 下の点で相違する（以下「本件相違点」という。）。 本件発明１は，絶縁膜が，薄膜トランジスタの半導体層を覆って形成される層間 絶縁膜上に形成され，薄膜トランジスタに起因する凹凸を緩和するように，その表 面が平坦化される平坦化絶縁膜であり，薄膜トランジスタのソース電極は層間絶縁 膜上に形成されるとともに，層間絶縁膜に開けられた開口部を介して薄膜トランジ 21 スタの半導体層に接続され，画素電極は平坦化絶縁膜上に形成されるとともに，平 坦化絶縁膜の開口部を介してソース電極に接続されているのに対して，引用発明は， このような層間絶縁膜を有しておらず，薄膜トランジスタとその電極ラインを覆う 層間絶縁膜が，表示電極を薄膜トランジスタとその電極ラインから十分に離すため に，厚く，少なくとも１μｍ以上とするものであるが，薄膜トランジスタに起因す る凹凸を緩和するように，その表面が平坦化される平坦化絶縁膜であるか否か明ら かではなく，薄膜トランジスタのソース電極が，層間絶縁膜上に形成されているも のではなく，表示電極が平坦化絶縁膜上に形成されているものではない点 (イ) 原告の主張について 原告は，引用発明の層間絶縁膜は，「薄膜トランジスタに起因する凹凸を緩和す るように，その表面が平坦化される平坦化絶縁膜」に相当するとして，本件発明１ の絶縁膜と引用発明の層間絶縁膜との間には，平坦化の点で実質的な差異はないと 主張する。 しかしながら，本件明細書（【００１１】【００２２】）の記載（前記１(1)イ， エ）からすると，本件発明１の平坦化絶縁膜は，薄膜トランジスタの段差に起因し た凹凸による液晶の配向変化に影響を及ぼさない程度に，その表面が平坦化されて いるものであると認められる。 他方，引用例には，層間絶縁膜について，膜厚を少なくとも１μｍ以上にするこ とにより，表示電極が，薄膜トランジスタとその電極ラインから十分に離され，液 晶の配向がこれらの電界の影響を受けて乱れることがなくなり，表示電極エッジ及 び配向制御窓により，配向制御が効果的に行われることは記載されているものの （【００２８】〜【００２９】），層間絶縁膜の表面を平坦化させることについて は何らの記載も示唆もない。 また，仮に，原告の主張のとおり，層間絶縁膜により薄膜トランジスタの段差に 起因した凹凸が緩和されているとしても，この層間絶縁膜の表面が，液晶の配向変 化に影響を及ぼさない程度に平坦化されているかどうかは明らかでない。 22 したがって，引用発明の層間絶縁膜は，本件発明１にいう「薄膜トランジスタに 起因する凹凸を緩和するように，その表面が平坦化される平坦化絶縁膜」に相当す るとはいえず，原告の主張は採用できない。 (2) 周知例等の記載について 周知例等には，概略，次の記載がある。 ア アクティブマトリックス液晶表示装置に関する周知例４（甲６）について (ア) 図１は，本発明に係わる反射型液晶表示装置の断面図を示す図である。同 図において，基板の表面を酸化して絶縁膜を成膜し，その上にＴＦＴ用の多結晶シ リコン又はアモルファスシリコンを成膜し，通常のＭＯＳトランジスタと同様な方 法でＴＦＴのゲート，ドレイン，ソースを形成する。ＴＦＴのソースに信号線を， ドレインに信号保持用の容量の端子を配線し，その上を層間絶縁膜で覆い，層間絶 縁膜の表面を平坦にした後，光反射用の画素電極（反射電極）を形成する（【００ １１】。） 【図１】 (イ) 本発明のアクティブマトリックス液晶表示装置は，水平配向液晶のみなら ず垂直配向液晶も使用できる（【００１６】【００１７】）。 イ 液晶表示パネルに関する周知例７（甲９）について (ア) 図２のＴＦＴの表面側には，シリコン酸化膜からなる下層側層間絶縁膜が 堆積されており，それには第１の接続孔と第２の接続孔とが開口されている。その 23 うちの第１の接続孔を介して，アルミニウム層からなるデータ線がソースに導電接 続している。一方，第２の接続孔を介しては，画素電極と同じく導電性及び光透過 性の材料としてのＩＴＯからなる積み上げ電極層がドレインに導電接続している。 下層側層間絶縁膜の表面は，ＴＦＴの形状に対応して凹凸が反映されているが，積 み上げ電極層は，ＴＦＴが形成されていない平坦な領域にまで拡張形成されている。 したがって，この領域における積み上げ電極層の表面は平坦になっている（【００ １６】【００１７】）。 (イ) この液晶表示パネルにおいては，透明基板の表面側に，シリコン酸化膜か らなる上層側層間絶縁膜が形成されており，その表面側に画素電極が形成されてい る。画素電極は，上層側層間絶縁膜の接続孔を介して積み上げ電極層に導電接続し ている。上層側層間絶縁膜としてはポリイミド層などを用いることにより，その表 面を平坦化して，液晶の配向性をより高めてもよい（【００１８】）。 ウ アクティブマトリクス液晶表示装置に関する周知例８（甲１０）について (ア) 図１は本発明に係るアクティブマトリクス表示装置の具体的な構成を示す 部分断面図であり，駆動基板には薄膜トランジスタ，画素電極及び信号配線などが 集積形成されている（【０００７】）。 (イ) 本発明の特徴要素である信号配線は下側金属層と上側金属層を重ねた積層 構造となっている。この信号配線は層間絶縁膜の上にパタニング形成されている。 すなわち，薄膜トランジスタは層間絶縁膜により被覆されており，信号配線はこの 層間絶縁膜に開口したコンタクトホールを介して薄膜トランジスタのソース領域に 電気接続している。図１のように薄膜トランジスタをスイッチング素子として用い る場合には，これらの下側金属層及び上側金属層を介してドレイン領域が画素電極 と電気接続するようになっている。なお，本例では信号配線と画素電極はアクリル 樹脂などからなる平坦化膜により互いに絶縁されている（【０００９】）。 エ 液晶表示装置に関する甲２８について (ア) 一般に，電圧の印加により液晶の配向を制御し，複屈折の変化により透過 24 光を変調したものは，ＥＣＢ方式と呼ばれる。特に，垂直配向ＥＣＢ方式は，両基 板表面に垂直配向処理を施し，液晶層として負の誘電率異方性を有したネマチック 相を用いた垂直配向構造のセルを，直交偏光子間に配置した構成である（【０００ ６】）。 (イ) 垂直配向ＥＣＢ方式では，電圧印加時に，セル内の横方向電界や基板表面 の凹凸により液晶ディレクターの傾斜方角がばらつく。このため，視角依存性が高 まるとともに，互いに傾斜方角の異なる領域の境界線に沿った帯状に透過率が変化 し表示に悪影響を及ぼしていた。このような透過率の異常な帯状領域はディスクリ ネーションと呼ばれ，ディスクリネーションが多発すると，画面にざらつきが生じ たり，画面が暗くなったりするなどの問題を招いていた（【０００８】）。 オ カラー表示装置に関する周知例１（甲３）について (ア) 本発明は，画素電極を駆動するスイッチング素子が形成された駆動基板側 にカラーフィルタを備えた構造を有するアクティブマトリクス型のカラー表示装置 に関する（【０００１】）。 (イ) 図５に示す従来構造では，下地のカラーフィルタの凹凸の影響を受け画素 電極に段差が生じるため，これが液晶の配向乱れ，ディスクリネーション，リバー スチルトドメイン等を引き起す原因ともなっていた（【０００４】）。 (ウ) 本発明にかかるオンチップカラーフィルタ構造では，カラーフィルタを含 む第二層と該カラーフィルタに整合配置した画素電極を含む第四層との間に，スイ ッチング素子及びカラーフィルタの凹凸を埋める平坦化膜からなる第三層が介在し ている。すなわち，カラーフィルタは平坦化膜により保護された構造となっており， この平坦化膜の上に画素電極がパタニング形成される。したがって，画素電極は極 めて平滑な表面を有する平坦化膜の上に形成されるので，従来問題となっていたエ ッチング残り等が生じない。さらに画素電極の表面状態もほぼ平らになるので，従 来問題となっていた液晶の配向乱れ，ディスクリネーション，リバースチルトドメ イン等も発生しない（【０００７】）。 25 カ 液晶表示素子に関する周知例３（甲５）について (ア) この発明は，薄膜トランジスタにより駆動される液晶表示素子に関するも のである。 (イ) 第３図は実施例３を示す断面図である。この液晶表示素子は，薄膜トラン ジスタ形成側の基板上に，薄膜トランジスタを覆って平坦化するレベリング層を形 成して構成したので，薄膜トランジスタ部でのギャップと表示部のギャップとの差 がほとんどなくなり，スペーサ粒子を介して２枚の基板を接合した際に薄膜トラン ジスタが破損するおそれがなく，基板間のギャップを均一化することができる。さ らに，表示面のコントラストを均一にすることもできる。 (3) 本件相違点の容易想到性について ア 本件相違点に係る本件発明１の構成について 上記(2)アないしウの各記載からすると，本件出願当時，薄膜トランジスタに起 因する凹凸を緩和するように，その表面が平坦化される平坦化絶縁膜が薄膜トラン ジスタの半導体層を覆って形成される層間絶縁膜上に形成され，薄膜トランジスタ のソース電極は層間絶縁膜上に形成されるとともに，層間絶縁膜に開けられた開口 部を介して薄膜トランジスタの半導体層に接続され，画素電極は平坦化絶縁膜上に 形成されるとともに，平坦化絶縁膜の開口部を介してソース電極に接続されている 構成（本件相違点に係る本件発明１の構成）は，周知であったということができる。 イ 引用発明に上記周知の構成を適用する動機付けの有無について (ア) 上記(2)エの記載からすると，液晶表示装置において，「基板表面の凹 凸」により液晶ディレクターの傾斜方角がばらつき，これにより，ディスクリネー ションが発生することは周知の課題であると認められるところ，上記「基板表面の 凹凸」として，薄膜トランジスタに起因する凹凸が含まれることは，当業者にとっ て自明である。これを引用発明についてみると，前記(1)イ(イ)のとおり，引用発 明の層間絶縁膜は，「薄膜トランジスタに起因する凹凸を緩和するように，その表 面が平坦化される平坦化絶縁膜」に相当するものではないから，薄膜トランジスタ 26 に起因する凹凸が生じていることは明らかであり（なお，被告も，引用発明の層間 絶縁膜が本件発明１にいう「平坦化」したものでないことを争っていない。），引 用発明においても，薄膜トランジスタに起因する凹凸により負の誘電率異方性を有 する液晶の配向がばらつき，それによってディスクリネーションが発生するという 課題を有しているものと認められる。 そして，上記(2)オ及びカの記載からすると，一般の液晶表示装置技術において， 薄膜トランジスタの段差に起因する凹凸を平坦化するために薄膜トランジスタを平 坦化絶縁膜で覆うことは，液晶の配向性をより高めるものとなることが認められる から，画素電極が層間絶縁膜上に形成された平坦化絶縁膜上に形成されている上記 周知の構成においても，液晶の配光性が高まっているものと認められる。 そうすると，引用発明において，薄膜トランジスタに起因する凹凸により負の誘 電率異方性を有する液晶の配向がばらつき，それによってディスクリネーションが 発生することを防止するために，液晶の配向性をより高めるための上記周知の構成 を採用することには動機付けがあるといえる。 (イ) また，薄膜トランジスタの半導体層とソース電極及びドレイン電極の接続 構造として，引用発明のように直接接続するか，上記周知の構成のように層間絶縁 膜に開けられた開口を介して接続するかは，当業者が適宜選択し得る設計事項であ る。 しかも，引用発明は，層間絶縁膜の厚さを少なくとも１μｍ以上にすることによ り，表示電極が薄膜トランジスタとその電極ラインから十分に離され，液晶の配向 がこれらの電界の影響を受けて乱れることがなくなり，表示電極エッジ及び配向制 御窓により，配向制御が効果的に行われるという効果が得られるものであるから， 引用発明における薄膜トランジスタの半導体層とソース電極及びドレイン電極の接 続構造として，上記周知の構成を採用すれば，電極ラインのうちゲートラインと表 示電極とが，層間絶縁膜の膜厚分だけさらに離されることとなる。 したがって，引用発明については，上記のような引用発明の効果をより得るため 27 に，引用発明における薄膜トランジスタの半導体層とソース電極及びドレイン電極 の接続構造としても，上記周知の構成を採用することの動機付けもあるということ ができる。 ウ 以上によれば，本件相違点に係る本件発明１の構成は，引用発明に上記周知 の構成を適用することにより，当業者が容易に想到し得るものということができる。 (4) 小括 よって，本件発明１は引用発明及び周知例１ないし１１に記載された事項に基づ いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえないとした本件審決の判 断は誤りであり，取消事由１は理由がある（なお，本件審決は，相違点１に係る本 件発明１の構成については，当業者が容易に想到し得るものである旨判断してい る。）。 ４ 取消事由２（本件発明２ないし５の容易想到性に係る判断の誤り）について (1) 本件審決は，本件発明１を引用する本件発明２，本件発明１又は本件発明 ２を引用する本件発明３，本件発明１，本件発明２又は本件発明３を引用する本件 発明４，本件発明１，本件発明２，本件発明３又は本件発明４を引用する本件発明 ５は，いずれも本件発明１の特定事項を全て含むものであるから，本件発明１が引 用発明及び周知例１ないし１１に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明す ることができたものとはいえない以上，本件発明２ないし５も，引用発明及び上記 各周知例に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものと はいえないと判断した。 しかしながら，前記３のとおり，本件発明１が容易に発明をすることができたも のということができないとの本件審決の判断が取り消されるべきものである以上， 本件発明２ないし５の進歩性に係る本件審決の前記判断も直ちに是認することはで きない。 (2) 小括 以上によれば，取消事由２も理由がある。 28 ５ 結論 以上の次第であるから，本件審決は取り消されるべきものである。 知的財産高等裁判所４部 裁 判長裁判官 土 肥 章 大 裁 判官 部 眞 規 子 裁 判官 齋 藤 巌 29 |